Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Aktív komponensek > Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok > Tranzisztor > Teljesítmény-MOSFET > Cikk

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5411506

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IRF1310NPBF

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

Teljesítmény-MOSFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	42 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	TO-220AB
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	36 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	160 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.54mm

... > Félvezetők > Diszkrét félvezetők > MOSFET-ek

További keresőfogalmak: 5411506, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF1310NPBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 344,00*

Az ár 30 000 db-től érvényes

Részletes információk

Cikk megosztása

Cikk hozzáadása a bevásárlólistához

Sávos árak

Rendelési mennyiség	Nettó	Bruttó	Egység

1 db	HUF 813,00*	HUF 1 033,00	db-ként
kezdő: 10 db	HUF 570,00*	HUF 724,00	db-ként
kezdő: 50 db	HUF 510,00*	HUF 648,00	db-ként
kezdő: 100 db	HUF 450,00*	HUF 572,00	db-ként
kezdő: 200 db	HUF 445,00*	HUF 565,00	db-ként
kezdő: 250 db	HUF 410,00*	HUF 521,00	db-ként
kezdő: 30000 db	HUF 344,00*	HUF 437,00	db-ként