MOSFET, 1 elem/chip, 1.3 A, 100 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5411691

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFD120PBF

EAN/GTIN:
5059040918962

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1.3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	HVMDIP
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	270 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.3 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 5411691, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFD120PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 323,00*

Az ár 30 000 db-től érvényes

Sávos árak