MOSFET, 1 elem/chip, 8.5 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5411938

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFB9N65APBF

EAN/GTIN:
5059040892347

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	8.5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	650 V
Csomag típusa:	TO-220AB
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	930 m/s
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	167 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	10.41mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 5411938, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFB9N65APBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 726,00*

Az ár 15 000 db-től érvényes

Sávos árak