Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Aktív komponensek > Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok > Tranzisztor > Teljesítmény-MOSFET > Cikk

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 HEXFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5412470

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IRFI540NPBF

EAN/GTIN:
5059043220765

Keresőfogalmak:

Teljesítmény-MOSFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
mosfet 100 v to-220

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	20 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	TO-220
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	52 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	54 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

... > Félvezetők > Diszkrét félvezetők > MOSFET-ek

További keresőfogalmak: mosfet to-220, 5412470, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRFI540NPBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 378,00*

Az ár 30 000 db-től érvényes

Részletes információk

Cikk megosztása

Cikk hozzáadása a bevásárlólistához

Sávos árak

Rendelési mennyiség	Nettó	Bruttó	Egység

1 db	HUF 739,00*	HUF 939,00	db-ként
kezdő: 10 db	HUF 651,00*	HUF 827,00	db-ként
kezdő: 50 db	HUF 551,00*	HUF 700,00	db-ként
kezdő: 100 db	HUF 500,00*	HUF 635,00	db-ként
kezdő: 200 db	HUF 491,00*	HUF 624,00	db-ként
kezdő: 250 db	HUF 451,00*	HUF 573,00	db-ként
kezdő: 30000 db	HUF 378,00*	HUF 480,00	db-ként