MOSFET, 1 elem/chip, 1.8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5429535

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFBE20PBF

EAN/GTIN:
5059040908277

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1.8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	800 V
Csomag típusa:	TO-220AB
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	6,5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	54 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.41mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 5429535, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFBE20PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 408,00*

Az ár 15 000 db-től érvényes

Sávos árak