MOSFET, 1 elem/chip, 4.1 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5429872

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFPE30PBF

EAN/GTIN:
5059040672741

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	4.1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	800 V
Csomag típusa:	TO-247AC
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	3 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	125 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	15.87mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 5429872, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFPE30PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 266,00*

Az ár 7 500 db-től érvényes

Sávos árak