MOSFET, 1 elem/chip, 202 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

N-csatornás MOSFET 40V Infineon tápegység. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek termékválasztéka N csatornás eszközöket tartalmaz a felületszerelt és az ólmozott csomagokhoz és olyan formátumokat tartalmaz, amelyek képesek megfelelni az alaplap szinte bármilyen elrendezésének és a termikus tervezési kihívásnak. Az ellenállás mérce révén a tervezők a vezetési veszteség csökkentése révén optimális rendszerhatékonyságot biztosítanak.