Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Aktív komponensek > Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok > Tranzisztor > Teljesítmény tranzisztor > Cikk

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5431465

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IRFB4710PBF

EAN/GTIN:
5059043508399

Keresőfogalmak:

Teljesítmény-MOSFET
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	75 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	TO-220AB
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	14 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	3.8 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

... > Félvezetők > Diszkrét félvezetők > MOSFET-ek

További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, 5431465, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRFB4710PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 329,00*

Az ár 30 000 db-től érvényes

Részletes információk

Cikk megosztása

Cikk hozzáadása a bevásárlólistához

Sávos árak

Rendelési mennyiség	Nettó	Bruttó	Egység

1 db	HUF 452,00*	HUF 574,00	db-ként
kezdő: 10 db	HUF 431,00*	HUF 547,00	db-ként
kezdő: 50 db	HUF 411,00*	HUF 522,00	db-ként
kezdő: 100 db	HUF 393,00*	HUF 499,00	db-ként
kezdő: 200 db	HUF 384,00*	HUF 488,00	db-ként
kezdő: 30000 db	HUF 329,00*	HUF 418,00	db-ként