MOSFET, 1 elem/chip, 5.6 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5431645

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRF510SPBF

EAN/GTIN:
5059040691636

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	5.6 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	540 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	3.7 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1
Tranzisztor anyaga:	Si

További keresőfogalmak: 5431645, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRF510SPBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 476,50*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 295,30* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.