MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, PW Mold 2SK Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-6012116

Gyártó:
Toshiba

Gyártói szám:
2SK3669(Q)

EAN/GTIN:
5059041950152

Keresőfogalmak:

MOSFET N-csatornás, 2SK sorozatú Toshiba

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	10 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	PW Mold
Sorozat:	2SK
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	125 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	20 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 6012116, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Toshiba, 2SK3669(Q)

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 786,90*

Az ár 15 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 157,38* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.