MOSFET, 1 elem/chip, 12.7 A, 25 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7103317

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4116DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040975101

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 8 V - 25 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	12.7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	25 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	9 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.6V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2.5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7103317, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4116DYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 501,00*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 300,20* db-ként)

Sávos árak