MOSFET, 2 elem/chip, 7.5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7103327

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4214DDY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040975743

Keresőfogalmak:

Két N-csatornás MOSFET, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	7.5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	19,5 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 7103327, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4214DDYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 120,00*

Az ár 75 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 5 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.