MOSFET, 1 elem/chip, 3.9 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7103386

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI7309DN-T1-E3

EAN/GTIN:
5059040975866

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	3.9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	PowerPAK 1212-8
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	115 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	3.2 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	3.05mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7103386, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI7309DNT1E3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 131,00*

Az ár 75 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 5 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.