MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7103395

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI9933CDY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040865921

Keresőfogalmak:

Két P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	58 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.6V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 7103395, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI9933CDYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 364,90*

Az ár 30 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 72,98* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.