MOSFET, 1 elem/chip, 6.2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7104764

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI7850DP-T1-E3

EAN/GTIN:
5059040886926

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	6.2 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	PowerPAK SO-8
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	22 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.8 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	4.9mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7104764, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI7850DPT1E3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 344,00*

Az ár 37 500 db-től érvényes

Megrendelések csak a 5 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.