MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7105060

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SUM110P06-07L-E3

EAN/GTIN:
5059040975477

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	110 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	7 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	3.75 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.41mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, 7105060, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SUM110P0607LE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 016,00*

Az ár 15 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 5 db többszöröseként

Sávos árak