MOSFET, 1 elem/chip, 4,9 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7436059

Gyártói szám:
TSM2312CX RFG

EAN/GTIN:
5059041711715

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, Taiwan Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	4,9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	51 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	750 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-8 V, +8 V
Hossz:	3.1mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7436059, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Taiwan Semiconductor, TSM2312CXRFG

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 968,70*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 96,87* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.