MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7514064

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMG1012T-7

EAN/GTIN:
5059043078595

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	630 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOT-523 (SC-89)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	700 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	280 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-6 V, +6 V
Hossz:	1.7mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7514064, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMG1012T7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 563,80*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 100 db (kezdő: HUF 35,638* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.