MOSFET, 1 elem/chip, 5,9 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7515360

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
ZXMP10A18KTC

EAN/GTIN:
5059045994879

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	5,9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	190 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	10.2 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.73mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7515360, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, ZXMP10A18KTC

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 750,30*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 350,06* db-ként)

Sávos árak