MOSFET, 1 elem/chip, 2.9 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS® Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7532810

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
BSP320S

EAN/GTIN:
5059045272632

Keresőfogalmak:

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	2.9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOT-223
Sorozat:	SIPMOS®
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	120 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.8 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.5mm

További keresőfogalmak: 7532810, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, BSP320S

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 164,00*

Az ár 75 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 10 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.