MOSFET, 1 elem/chip, 2.6 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7532816

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
BSP318S

EAN/GTIN:
5059043799780

Keresőfogalmak:

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	2.6 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOT-223
Sorozat:	SIPMOS
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	150 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.8 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.5mm

További keresőfogalmak: 7532816, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, BSP318S

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 921,00*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 192,10* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.