MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7545434

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPB107N20N3 G

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	88 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Sorozat:	OptiMOS
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	11 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	300 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.31mm

További keresőfogalmak: 7545434, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPB107N20N3G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 925,00*

Az ár 7 500 db-től érvényes

Sávos árak