MOSFET, 2 elem/chip, 2,6 A, 3,8 A, 20 V, 6-tüskés, MicroFET vékony PowerTrench Izolált Si

PowerTrench® Dual N/P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a kicsi kapufeltöltést (Qg), a kis fordított visszafejtési díjat (Qrr) és a puha hátrameneti térerősségvédő diódát, ami hozzájárul a szinkron egyenáram/egyenáram ellátás gyors átkapcsolásához. A legújabb PowerTTrench® MOSFET-ek a terheléselosztást biztosító árnyékolt kapuszerkezetet alkalmazzák. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegyábra) jóval kisebb az előző generációhoz képest. A PowerTTrench® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítményén kiküszöbölhető a rugalmas áramkör, illetve kicserélhető a nagyobb névleges feszültségű MOSFET.