Tranzisztor NSVMMBTH10LT1G, NPN, 500 mA, 25 V, 100 MHz, 3-tüskés Egyszeres

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7815115

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
NSVMMBTH10LT1G

EAN/GTIN:
5059042794731

Keresőfogalmak:

A gyártó cikkszáma NSV előtaggal az AEC-Q101 szabványnak megfelelő autógyártás. On Semiconductor RF bipoláris tranzisztorok

További információk:


Tranzisztortípus:	NPN
Maximális DC kollektoráram:	500 mA
Maximális kollektor kibocsátó feszültség:	25 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Maximális teljesítménydisszipáció:	225 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kollektor alapfeszültség:	30 V dc
Maximális kibocsátó alapfeszültség:	25 V
Maximális üzemi frekvencia:	100 MHz
Tüskék száma:	3
Elemek száma chipenként:	1
Méret:	3.04 x 2.64 x 1.11mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Maximális kollektor kibocsátó telítés feszültség:	0.5 V dc

További keresőfogalmak: 7815115, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, Bipoláris tranzisztorok, onsemi, NSVMMBTH10LT1G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 006,60*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 50,33* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.