MOSFET, 1 elem/chip, 1,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7879121

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
Si1308EDL-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040842151

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1,5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOT-323
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	185 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.6V
Maximális teljesítménydisszipáció:	400 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	2.2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7879121, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, Si1308EDLT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 391,10*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 25 db (kezdő: HUF 55,644* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.