MOSFET, 1 elem/chip, 8,7 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7904592

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN3018SSD-13

EAN/GTIN:
5059043511009

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	8,7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	30 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	4.95mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 7904592, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN3018SSD13

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 312,30*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 25 db (kezdő: HUF 132,492* db-ként)

Sávos árak