onsemi MJD112G Darlington tranzisztor, NPN, 2 A, 100 V, HFE:1000, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7905319

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
MJD112G

EAN/GTIN:
5059042518108

Keresőfogalmak:

A gyártó S vagy NSV előtaggal ellátott cikkszámai az AEC-Q101 szabványnak megfelelő autóipari gépek. Az on Semiconductor NPN Darlington tranzisztorok

További információk:


Tranzisztortípus:	NPN
Maximális folyamatos kollektoráram:	2 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség:	100 V
Maximális kibocsátó alapfeszültség:	5 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Elemek száma chipenként:	1
Minimális egyenáramú erősítés:	1000
Maximális alap kibocsátó telítés feszültség:	4 V
Maximális kollektor alapfeszültség:	100 V
Maximális kollektor kibocsátó telítés feszültség:	3 V
Maximális kollektor levágási feszültség:	20µA
Méret:	6.73 x 6.22 x 2.38mm

További keresőfogalmak: darlington tranzisztor, 7905319, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, Darlington-párok, onsemi, MJD112G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 83,00*

Az ár 112 500 db-től érvényes

Megrendelések csak a 15 db többszöröseként

Sávos árak