MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-7982912

Gyártó:
Nexperia

Gyártói szám:
PSMN1R7-30YL,115

EAN/GTIN:
5059043067032

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	100 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	LFPAK, SOT-669
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	2,4 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.15V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	109 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 7982912, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Nexperia, PSMN1R730YL,115

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 873,50*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 574,70* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.