MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zavartűréssel. Az eszközök gyors intrinsic diódát tartalmaznak, és számos ipari szabvány csomagban kaphatók, beleértve az izolált típusokat is, amelyek névleges értéke 1100V és 70A lehet Jellemző felhasználási területek: DC-DC átalakítók, akkumulátortöltők, kapcsolási üzemmód és rezonáns üzemmódú tápegységek, DC Elosztók, hőmérséklet- és világításvezérlés. Gyors belső egyenirányító dióda Alacsony RDS(on) és QG (kapufeltöltés) Alacsony belső kapu ellenállás Iparági szabványnak megfelelő csomagolás Alacsony csomag-induktivitás Nagy teljesítménysűrűség