MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8120660

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFU1N60APBF

EAN/GTIN:
5059040644618

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1,4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	600 V
Csomag típusa:	IPAK (TO-251)
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	7 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	36 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	6.73mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8120660, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFU1N60APBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 030,30*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 303,03* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.