MOSFET, 1 elem/chip, 10,4 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 TrenchFET Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8141213

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIA449DJ-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040742420

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	10,4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOT-363
Sorozat:	TrenchFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	38 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.6V
Maximális teljesítménydisszipáció:	19 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	2.15mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 8141213, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIA449DJT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 080,40*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 54,02* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.