MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8152673

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIHF9Z14S-GE3

EAN/GTIN:
5059040733190

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	4,7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	500 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	43 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.67mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8152673, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIHF9Z14SGE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 360,40*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 236,04* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.