MOSFET, 2 elem/chip, 6,5 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8181302

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4909DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040808379

Keresőfogalmak:

Két P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	6,5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	40 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	34 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	3,2 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 8181302, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4909DYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 620,40*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 181,02* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.