MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 20 V, 4-tüskés, MIKROLÁB Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8181438

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI8489EDB-T2-E1

EAN/GTIN:
5059040746343

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	4,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	MIKROLÁB
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	82 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,8 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	1mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8181438, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI8489EDBT2E1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 99,00*

Az ár 150 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 20 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.