MOSFET, 1 elem/chip, 6,2 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC SQ Rugged Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8193920

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SQ4431EY-T1_GE3

EAN/GTIN:
5059040639980

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	6,2 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOIC
Sorozat:	SQ Rugged
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	52 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	6 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 8193920, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SQ4431EYT1_GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 885,30*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 144,265* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.