MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SQ Rugged Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8193933

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SQD45P03-12_GE3

EAN/GTIN:
5059040642287

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	37 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Sorozat:	SQ Rugged
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	24 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	71 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.73mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 8193933, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SQD45P0312_GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 621,80*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 262,18* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.