MOSFET, 2 elem/chip, 280 mA, 620 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-563 Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8222523

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMG1029SV-7

EAN/GTIN:
5059043369747

Keresőfogalmak:

Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

További információk:


Csatorna típusa:	N, P
Maximális folyamatos nyelőáram:	280 mA, 620 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOT-563
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	1.7 Ω, 6 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	1.7mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 8222523, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMG1029SV7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 668,10*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 33,362* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.