MOSFET, 2 elem/chip, 2,1 A, 3,4 A, 30 V, 6-tüskés, TSOT-26 Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8222532

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMG6602SVT-7

EAN/GTIN:
5059043376110

Keresőfogalmak:

Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

További információk:


Csatorna típusa:	N, P
Maximális folyamatos nyelőáram:	2,1 A, 3,4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	TSOT-26
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	100 mΩ, 140 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,27 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	2.9mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 8222532, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMG6602SVT7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 8 932,60*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 100 db (kezdő: HUF 89,326* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.