MOSFET, 2 elem/chip, 2 A, 4,5 A, 30 V, 6-tüskés, TSOT-26 Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8232915

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMG6601LVT-7

EAN/GTIN:
5059043268606

Keresőfogalmak:

Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

További információk:


Csatorna típusa:	N, P
Maximális folyamatos nyelőáram:	2 A, 4,5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	TSOT-26
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	85 mΩ, 190 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,3 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	2.9mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 8232915, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMG6601LVT7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 135,10*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 22,702* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.