MOSFET, 1 elem/chip, 3,1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8232930

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN2065UW-7

EAN/GTIN:
5059043784595

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	3,1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOT-323
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	140 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	700 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	2.2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8232930, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN2065UW7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 717,20*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 100 db (kezdő: HUF 17,172* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.