MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8233233

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN4800LSSL-13

EAN/GTIN:
5059043185354

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	20 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1.6V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,46 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	4.95mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8233233, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN4800LSSL13

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 6 613,60*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 132,272* db-ként)

Sávos árak