MOSFET, 2 elem/chip, 4,4 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8234012

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN6066SSD-13

EAN/GTIN:
5059043743448

Keresőfogalmak:

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	4,4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	97 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,14 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 8234012, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN6066SSD13

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 163,60*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 116,36* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.