MOSFET, 2 elem/chip, 2,6 A, 4,7 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8234059

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
ZXMC4559DN8TA

EAN/GTIN:
5059043803616

Keresőfogalmak:

Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

További információk:


Csatorna típusa:	N, P
Maximális folyamatos nyelőáram:	2,6 A, 4,7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	75 mΩ, 125 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,1 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	4.95mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 8234059, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, ZXMC4559DN8TA

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 5 848,30*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 292,415* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.