MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS 5 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8235627

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPP029N06NAKSA1

EAN/GTIN:
5059043269214

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™5 teljesítmény MOSFET-ek

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	100 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	TO-220
Sorozat:	OptiMOS 5
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	4,4 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.3V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	136 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.36mm

További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, mosfet 100a, 8235627, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPP029N06NAKSA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 672,40*

Az ár 15 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 db (kezdő: HUF 336,20* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.