MOSFET, 2 elem/chip, 9,3 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2030 Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8270462

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN2014LHAB-7

EAN/GTIN:
5059043395494

Keresőfogalmak:

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	9,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	U-DFN2030
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	28 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1.1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,7 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	3.05mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 8270462, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN2014LHAB7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 510,50*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 70,21* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.