MOSFET, 1 elem/chip, 5,3 A, 100 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8270529

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN10H120SFG-13

EAN/GTIN:
5059043006338

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	5,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	PowerDI3333-8
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	122 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,4 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	3.35mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8270529, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN10H120SFG13

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 465,50*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 73,275* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.