MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8283193

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN4010LK3-13

EAN/GTIN:
5059043006857

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	39 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	40 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	14,5 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,6 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.7mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8283193, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN4010LK313

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 670,10*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 133,505* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.