STMicroelectronics STGWT80H65DFB IGBT N-csatornás, 120 A, 650 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-3P Egyszeres

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8297136

Gyártói szám:
STGWT80H65DFB

EAN/GTIN:
5059042700848

Keresőfogalmak:

IGBT diszkrét, STMicroelectronics

További információk:


Maximális folyamatos kollektoráram:	120 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség:	650 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség:	±20V
Maximális teljesítménydisszipáció:	469 W
Csomag típusa:	TO-3P
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Csatorna típusa:	N
Tüskék száma:	3
Kapcsolási sebesség:	1MHz
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Méret:	15.8 x 5 x 20.1mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Min. működési hőmérséklet:	-55 °C

További keresőfogalmak: 8297136, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, IGBT-k, STMicroelectronics, STGWT80H65DFB

Ajánlatok (2)

Raktárkészlet

Szállítás nettó

Sávos ár

Nettó ár

Raktár 4GUDN

HUF 1 500,00*

kezdő: HUF 1 576,00*

HUF 2 837,00*

HUF 1 200,00*

kezdő: HUF 1 813,00*

HUF 3 577,00*

Árak: Raktár 4GUDN

Raktárkészlet: Raktár 4GUDN

Szállítás nettó: Raktár 4GUDN

Jelenítsen meg részletesebb raktárkészlet információt.

Visszaviteli jog ezen termékre: Raktár 4GUDN

Időszak:	21 napon belül
Csomagolási állapot:	Eredeti csomagolás nincs kinyitva, sérülés nélkül
Áru állapota:	használatlan
Visszaszállítási költség:	az ügyfél fizeti
Kezelési költség:	A költségeket az egyedi eset vizsgálata után a kereskedelmi partner állapítja meg.
Az ÁSZF szerinti szavatossági idő a megadott visszaviteli jogtól függetlenül változatlan marad.