MOSFET, 1 elem/chip, 600 A, 40 V, 24-tüskés, SMPD GigaMOS, HiperFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8752475

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
MMIX1T600N04T2

EAN/GTIN:
5059041386487

Keresőfogalmak:

N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	600 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	40 V
Csomag típusa:	SMPD
Sorozat:	GigaMOS, HiperFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	24
Maximális nyelő forrásellenállás:	1,3 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	830 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	25.25mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 8752475, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, MMIX1T600N04T2

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 6 699,00*

Az ár 3 000 db-től érvényes

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.