MOSFET, 1 elem/chip, 3,3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-89 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-8855687

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
ZXMN3A01ZTA

EAN/GTIN:
5059043826493

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	3,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOT-89
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	180 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,12 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	4.6mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 8855687, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, ZXMN3A01ZTA

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 085,00*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 25 db (kezdő: HUF 43,40* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.